FGA60N65SMD
Specification
Manufacturer ONSEMI
Type of transistor IGBT
Collector-emitter voltage 650V
Collector current 60A
Power dissipation 300W
Case TO3PN
Gate-emitter voltage ±20V
Pulsed collector current 180A
Mounting THT
Gate charge 284nC
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Poručivanje ili lično Pon-Pet od 9-17
Porudžbine idu D expresom ili Bex
Troškove dostave plaća kupac.
Naručivanje je poruke na KP, Telegram ili Viber na
063522128 sa podatcima za slanje i telefonom.
Uz svaku porudžbinu ide račun i garancija.
ili lično -
Sprint Elektronika
Novi Sad, Braće Ribnikar 15 lokal 8 u dvorištu
Pon-Pet od 9-17
U skladu sa Pravilima i uslovima korišćenja i Polisom o poštovanju privatnosti, KupujemProdajem koristi Cookie-je da bi obezbedio dobro korisničko iskustvo, prikazivanje personalizovanog sadržaja, prikazivanje reklama, kao i druge funkcionalnosti i usluge koje ne bismo mogli da obezbedimo bez Cookie-ja.